AP9565GEM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9565GEM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9565GEM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9565GEM даташит

 ..1. Size:89K  ape
 ap9565gem.pdf pdf_icon

AP9565GEM

AP9565GEM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 38m D RoHS Compliant ID -6.5A G S S S SO-8 D Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized de

 6.1. Size:131K  ape
 ap9565geh ap9565gej.pdf pdf_icon

AP9565GEM

AP9565GEH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D Lower On-resistance RDS(ON) 38m G Fast Switching Characteristic ID -24A S Description G D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device de

 8.1. Size:98K  ape
 ap9565agh-hf ap9565agj-hf.pdf pdf_icon

AP9565GEM

AP9565AGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 42m Fast Switching Characteristic ID -18.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switchi

 8.2. Size:96K  ape
 ap9565bgh-hf ap9565bgj-hf.pdf pdf_icon

AP9565GEM

AP9565BGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 52m Fast Switching Characteristic ID -17A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D S best combination of fast switching,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3296-ZJ, AP9565AGH, AP9565AGJ, AP9565BGH-HF, AP9565BGJ-HF, AP9565BGM-HF, AP9565GEH, AP9565GEJ, 8205A, AP9566GH, AP9566GM, AP9567GH-HF, AP9567GJ-HF, AP9567GM, AP9569GH-HF, AP9569GJ-HF, AP9569GM