Справочник MOSFET. AP9566GH

 

AP9566GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9566GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AP9566GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9566GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ape
ap9566gh.pdfpdf_icon

AP9566GH

AP9566GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 65m Fast Switching Characteristic ID -13.6AGSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with DSTO-252(H)the best combination of fast switching, ruggedized device design

 7.1. Size:93K  ape
ap9566gm-hf.pdfpdf_icon

AP9566GH

AP9566GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 72mD Fast Switching Characteristic ID -4.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 7.2. Size:100K  ape
ap9566gm.pdfpdf_icon

AP9566GH

AP9566GMRoHS-compliat ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 72mD Fast Switching Characteristic ID -4.5AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device des

 9.1. Size:99K  ape
ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdfpdf_icon

AP9566GH

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

Другие MOSFET... AP9565AGH , AP9565AGJ , AP9565BGH-HF , AP9565BGJ-HF , AP9565BGM-HF , AP9565GEH , AP9565GEJ , AP9565GEM , STP75NF75 , AP9566GM , AP9567GH-HF , AP9567GJ-HF , AP9567GM , AP9569GH-HF , AP9569GJ-HF , AP9569GM , AP9571GP-HF .

History: TK40P04M1 | IRF2807ZLPBF | BUK7Y65-100E

 

 
Back to Top

 


 
.