AP9566GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9566GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AP9566GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9566GH даташит

 ..1. Size:166K  ape
 ap9566gh.pdf pdf_icon

AP9566GH

AP9566GH RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 65m Fast Switching Characteristic ID -13.6A G S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, ruggedized device design

 7.1. Size:93K  ape
 ap9566gm-hf.pdf pdf_icon

AP9566GH

AP9566GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 72m D Fast Switching Characteristic ID -4.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 7.2. Size:100K  ape
 ap9566gm.pdf pdf_icon

AP9566GH

AP9566GM RoHS-compliat Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 72m D Fast Switching Characteristic ID -4.5A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

 9.1. Size:99K  ape
 ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdf pdf_icon

AP9566GH

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9565AGH, AP9565AGJ, AP9565BGH-HF, AP9565BGJ-HF, AP9565BGM-HF, AP9565GEH, AP9565GEJ, AP9565GEM, 7N65, AP9566GM, AP9567GH-HF, AP9567GJ-HF, AP9567GM, AP9569GH-HF, AP9569GJ-HF, AP9569GM, AP9571GP-HF