AP9567GH-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9567GH-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AP9567GH-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9567GH-HF даташит

 ..1. Size:237K  ape
ap9567gh-hf ap9567gj-hf.pdfpdf_icon

AP9567GH-HF

AP9567GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -22A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP9567 series are from Advanced Power innovated design and silicon D S process technology to achieve

 ..2. Size:101K  ape
ap9567gh-hf.pdfpdf_icon

AP9567GH-HF

AP9567GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -22A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G D The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial S TO-252(H) surface mount a

 6.1. Size:237K  ape
ap9567gh.pdfpdf_icon

AP9567GH-HF

AP9567GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -22A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP9567 series are from Advanced Power innovated design and silicon D S process technology to achieve

 7.1. Size:70K  ape
ap9567gm.pdfpdf_icon

AP9567GH-HF

AP9567GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D Low On-resistance D RDS(ON) 50m D Fast Switching Characteristic ID -6A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best c

Другие IGBT... AP9565BGH-HF, AP9565BGJ-HF, AP9565BGM-HF, AP9565GEH, AP9565GEJ, AP9565GEM, AP9566GH, AP9566GM, IRF630, AP9567GJ-HF, AP9567GM, AP9569GH-HF, AP9569GJ-HF, AP9569GM, AP9571GP-HF, AP9571GS-HF, AP9573GH-HF