Справочник MOSFET. AP9567GM

 

AP9567GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9567GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AP9567GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9567GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  ape
ap9567gm.pdfpdf_icon

AP9567GM

AP9567GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -40V DDLow On-resistance D RDS(ON) 50m DFast Switching Characteristic ID -6A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best c

 7.1. Size:237K  ape
ap9567gh.pdfpdf_icon

AP9567GM

AP9567GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -22AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP9567 series are from Advanced Power innovated design and siliconDSprocess technology to achieve

 7.2. Size:101K  ape
ap9567gh-hf.pdfpdf_icon

AP9567GM

AP9567GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -22AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialSTO-252(H)surface mount a

 9.1. Size:99K  ape
ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdfpdf_icon

AP9567GM

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

Другие MOSFET... AP9565BGM-HF , AP9565GEH , AP9565GEJ , AP9565GEM , AP9566GH , AP9566GM , AP9567GH-HF , AP9567GJ-HF , 2N7000 , AP9569GH-HF , AP9569GJ-HF , AP9569GM , AP9571GP-HF , AP9571GS-HF , AP9573GH-HF , 2SK2333 , 2SK2632LS .

History: SM7A25NSU | 2SK3273-01MR | IXFX30N110P | 2SK2715 | SI3420 | 2SK3649-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.