AP9569GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9569GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9569GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9569GM даташит

 ..1. Size:59K  ape
ap9569gm.pdfpdf_icon

AP9569GM

AP9569GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D Fast Switching Characteristic D RDS(ON) 90m D RoHS Compliant ID -4.2A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

 7.1. Size:63K  ape
ap9569gh-hf ap9569gj-hf.pdfpdf_icon

AP9569GM

AP9569GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS -40V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -14A G S Description G D S TO-252(H) The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for

 9.1. Size:99K  ape
ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdfpdf_icon

AP9569GM

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

 9.2. Size:93K  ape
ap9566gm-hf.pdfpdf_icon

AP9569GM

AP9566GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 72m D Fast Switching Characteristic ID -4.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

Другие IGBT... AP9565GEM, AP9566GH, AP9566GM, AP9567GH-HF, AP9567GJ-HF, AP9567GM, AP9569GH-HF, AP9569GJ-HF, 2N7002, AP9571GP-HF, AP9571GS-HF, AP9573GH-HF, 2SK2333, 2SK2632LS, 2SK1413, 2SK1936-01, 2SK2640-01MR