Справочник MOSFET. AP9575AGJ-HF

 

AP9575AGJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9575AGJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9575AGJ-HF Datasheet (PDF)

 6.1. Size:94K  ape
 ap9575ags-hf.pdf pdf_icon

AP9575AGJ-HF

AP9575AGS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 64m Fast Switching Characteristic ID -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDr

 6.2. Size:93K  ape
 ap9575agm-hf.pdf pdf_icon

AP9575AGJ-HF

AP9575AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -60VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 64mD Fast Switching Characteristic ID -4.6AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 6.3. Size:94K  ape
 ap9575agi-hf.pdf pdf_icon

AP9575AGJ-HF

AP9575AGI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 64m Fast Switching Characteristic ID -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggediz

 6.4. Size:99K  ape
 ap9575agh j-hf.pdf pdf_icon

AP9575AGJ-HF

AP9575AGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Higher Gate-Source Voltage BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 64m Fast Switching Characteristic ID -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialDTO-252(H)Ssurface mou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.