Справочник MOSFET. AP9575AGM-HF

 

AP9575AGM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9575AGM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9575AGM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap9575agm-hf.pdf pdf_icon

AP9575AGM-HF

AP9575AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -60VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 64mD Fast Switching Characteristic ID -4.6AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 6.1. Size:94K  ape
 ap9575ags-hf.pdf pdf_icon

AP9575AGM-HF

AP9575AGS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 64m Fast Switching Characteristic ID -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDr

 6.2. Size:94K  ape
 ap9575agi-hf.pdf pdf_icon

AP9575AGM-HF

AP9575AGI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 64m Fast Switching Characteristic ID -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggediz

 6.3. Size:99K  ape
 ap9575agh j-hf.pdf pdf_icon

AP9575AGM-HF

AP9575AGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Higher Gate-Source Voltage BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 64m Fast Switching Characteristic ID -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialDTO-252(H)Ssurface mou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 7N80G-TF2-T | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | SMG2302 | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.