Справочник MOSFET. AP9575GJ-HF

 

AP9575GJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9575GJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9575GJ-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  ape
ap9575gh-hf ap9575gj-hf.pdfpdf_icon

AP9575GJ-HF

AP9575GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15AG RoHS CompliantSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialSTO-252(H)surface mount applications and suite

 6.1. Size:98K  ape
ap9575gh ap9575gj.pdfpdf_icon

AP9575GJ-HF

AP9575GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15AGSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial STO-252(H)surface mount applications and suited for low voltage appl

 6.2. Size:838K  cn vbsemi
ap9575gj.pdfpdf_icon

AP9575GJ-HF

AP9575GJwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.066 at VGS = - 10 V - 20APPLICATIONS- 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 180.080 Load SwitchTO-251SGDP-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Par

 7.1. Size:57K  ape
ap9575gm-hf.pdfpdf_icon

AP9575GJ-HF

AP9575GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -60VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 90mD Fast Switching Characteristic ID -4AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: UF640L-TN3-R | HM70P04K | 2N7002F | IXFR18N90P | IPA60R385CP | CEM4311 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.