AP9575GJ-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9575GJ-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9575GJ-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9575GJ-HF даташит

 ..1. Size:98K  ape
 ap9575gh-hf ap9575gj-hf.pdf pdf_icon

AP9575GJ-HF

AP9575GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15A G RoHS Compliant S Description G D The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suite

 ..2. Size:232K  ape
 ap9575gj-hf ap9575gh-hf.pdf pdf_icon

AP9575GJ-HF

AP9575GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9575 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D S process technology to achieve th

 6.1. Size:98K  ape
 ap9575gh ap9575gj.pdf pdf_icon

AP9575GJ-HF

AP9575GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low voltage appl

 6.2. Size:838K  cn vbsemi
 ap9575gj.pdf pdf_icon

AP9575GJ-HF

AP9575GJ www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.066 at VGS = - 10 V - 20 APPLICATIONS - 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 18 0.080 Load Switch TO-251 S G D P-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Par

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2771-01R, AP9575AGH-HF, AP9575AGI-HF, AP9575AGJ-HF, AP9575AGM-HF, AP9575AGS-HF, AP9575GH-HF, AP9575GI-HF, AON6380, AP9575GM, AP9575GP-HF, AP9575GS-HF, AP9576GH, AP9576GJ, AP9576GM, AP9577GI, AP9578GH-HF