AP9577GI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9577GI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AP9577GI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9577GI даташит

 ..1. Size:95K  ape
ap9577gi.pdfpdf_icon

AP9577GI

AP9577GI RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 64m Fast Switching Characteristic ID -17A G RoHS Compliant S Description AP9577 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-resis

 0.1. Size:92K  ape
ap9577gi-hf.pdfpdf_icon

AP9577GI

AP9577GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 64m Fast Switching Characteristic ID -17A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9577 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

 9.1. Size:95K  ape
ap9576gm-hf.pdfpdf_icon

AP9577GI

AP9576GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS -60V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m D Fast Switching Characteristic ID -4A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 9.2. Size:98K  ape
ap9575gh ap9575gj.pdfpdf_icon

AP9577GI

AP9575GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Characteristic ID -15A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low voltage appl

Другие IGBT... AP9575GI-HF, AP9575GJ-HF, AP9575GM, AP9575GP-HF, AP9575GS-HF, AP9576GH, AP9576GJ, AP9576GM, TK10A60D, AP9578GH-HF, AP9578GJ-HF, AP9578GM, AP9578GP, AP9578GS, AP9579GH-HF, AP9579GI-HF, AP9579GJ-HF