Справочник MOSFET. AP9585GM-HF

 

AP9585GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9585GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9585GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
 ap9585gm-hf.pdf pdf_icon

AP9585GM-HF

AP9585GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 180mD Fast Switching Characteristic ID -2.7AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination o

 6.1. Size:205K  ape
 ap9585gm.pdf pdf_icon

AP9585GM-HF

AP9585GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 180mD Fast Switching Characteristic ID -2.7AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device

 7.1. Size:102K  ape
 ap9585gh ap9585gj.pdf pdf_icon

AP9585GM-HF

AP9585GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -11.2AGSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial STO-252(H)surface mount applications and suited for low volta

 9.1. Size:93K  ape
 ap9581gs-hf.pdf pdf_icon

AP9585GM-HF

AP9581GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 15m Fast Switching Characteristic ID -95AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HM12N15I | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.