AP95T06AGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP95T06AGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AP95T06AGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP95T06AGP даташит

 ..1. Size:149K  ape
 ap95t06agp.pdf pdf_icon

AP95T06AGP

AP95T06AGP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 8.5m Fast Switching Characteristic ID 75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-resis

 7.1. Size:151K  ape
 ap95t06gp.pdf pdf_icon

AP95T06AGP

AP95T06GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 8.5m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP95T06 series are from Advanced Power inno

 7.2. Size:114K  ape
 ap95t06bgp.pdf pdf_icon

AP95T06AGP

AP95T06BGP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, G low on-resista

 7.3. Size:63K  ape
 ap95t06gs p-hf.pdf pdf_icon

AP95T06AGP

AP95T06GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 8.5m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9585GH, AP9585GJ, AP9585GM, AP9585GM-HF, AP9587GH-HF, AP9587GJ-HF, AP9591GP-HF, AP95N25W, AO3400A, AP95T06BGP, AP95T06GP-HF, AP95T06GS-HF, AP95T07AGP-HF, AP95T07BGP-HF, AP95T07BGS-HF, AP95T07GP-HF, AP95T07GS