Справочник MOSFET. AP9923GEO-HF

 

AP9923GEO-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9923GEO-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для AP9923GEO-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9923GEO-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ape
ap9923geo-hf.pdfpdf_icon

AP9923GEO-HF

AP9923GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low On-Resistance BVDSS -12VS2S2D2 Small & Thin Package RDS(ON) 25mG1 Capable of 1.8V Gate Drive ID -7AS1S1TSSOP-8D1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best c

 5.1. Size:143K  ape
ap9923geo.pdfpdf_icon

AP9923GEO-HF

AP9923GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low On-Resistance BVDSS -12VS2S2D2 Small & Thin Package RDS(ON) 25mG1 Capable of 1.8V Gate Drive ID -7AS1S1TSSOP-8D1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best c

 9.1. Size:60K  ape
ap9926gm-hf.pdfpdf_icon

AP9923GEO-HF

AP9926GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30mD1 Surface Mount Package ID 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionD2D1AP9926 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process te

 9.2. Size:71K  ape
ap9928geo.pdfpdf_icon

AP9923GEO-HF

AP9928GEOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 23m G1S1Optimal DC/DC battery application S1 ID 5A TSSOP-8D1DescriptionD1 D2The Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1 G

Другие MOSFET... AP98T06GI-HF , AP98T06GP , AP98T06GS-HF , AP98T07GP-HF , AP9918GJ , AP9920GEO , AP9922AGEO-HF , AP9922GEO-HF , P55NF06 , AP9924AGO-HF , AP9924GO , AP9926GEM , AP9926GEO-HF , AP9926GM-HF , AP9926GO , AP9928GEM , AP9928GEO .

History: 2SK3611 | SI3443BDV | BUK7524-55A

 

 
Back to Top

 


 
.