Справочник MOSFET. AP9930AGM

 

AP9930AGM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9930AGM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2(3.5) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7(8) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(0.072) Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AP9930AGM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9930AGM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  ape
ap9930agm.pdfpdf_icon

AP9930AGM

AP9930AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive RequirementP2G Low On-resistance N-CH BVDSS 30VN2D/P2D Full Bridge Application on RDS(ON) 35mP1S/P2SP1GLCD Monitor Inverter ID 5.2AN2GN1S/N2S RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VN1D/P1DN1GSO-8RDS(ON) 72mDescription ID -3.5A

 8.1. Size:86K  ape
ap9930gm-hf.pdfpdf_icon

AP9930AGM

AP9930GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive RequirementP2G Low On-resistance N-CH BVDSS 30VN2D/P2D Full Bridge Application on RDS(ON) 33mP1S/P2SP1GLCD Monitor Inverter ID 5.5AN2GN1S/N2S RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VN1D/P1DN1GSO-8RDS(ON) 55mDescription ID -4.1A

 9.1. Size:73K  ape
ap9938gem-hf.pdfpdf_icon

AP9930AGM

AP9938GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 20VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Performance ID 8.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP9938 series are from Advanced Power innovated design andD1 D2silicon pr

 9.2. Size:203K  ape
ap9936gm-hf.pdfpdf_icon

AP9930AGM

AP9936GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET DC-DC Application BVDSS 30VD2D2D1 Dual N-channel Device RDS(ON) 50mD1 Surface Mount Package ID 5AG2S2 RoHS CompliantG1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

Другие MOSFET... AP9924AGO-HF , AP9924GO , AP9926GEM , AP9926GEO-HF , AP9926GM-HF , AP9926GO , AP9928GEM , AP9928GEO , 7N65 , AP9930GM-HF , AP9932GM , AP9934GM , AP9936GM-HF , AP9938AGEY-HF , AP9938GEM-HF , AP9938GEO-HF , AP9950AGH-HF .

 

 
Back to Top

 


 
.