Справочник MOSFET. AP9932GM

 

AP9932GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9932GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3(3.3) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140(170) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04(0.07) Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9932GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ape
ap9932gm.pdfpdf_icon

AP9932GM

AP9932GMPb Free Plating ProductAdvanced Power 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETP2GSimple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V N2D/P2DLow On-resistance RDS(ON) 40m P1S/P2SP1GFull Bridge Application on ID 4.3A N2GN1S/N2SLCD Monitor Inverter P-CH BVDSS -30VN1D/P1DN1GSO-8RDS(ON) 7

 9.1. Size:86K  ape
ap9930gm-hf.pdfpdf_icon

AP9932GM

AP9930GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive RequirementP2G Low On-resistance N-CH BVDSS 30VN2D/P2D Full Bridge Application on RDS(ON) 33mP1S/P2SP1GLCD Monitor Inverter ID 5.5AN2GN1S/N2S RoHS Compliant P-CH BVDSS -30VN1D/P1DN1GSO-8RDS(ON) 55mDescription ID -4.1A

 9.2. Size:73K  ape
ap9938gem-hf.pdfpdf_icon

AP9932GM

AP9938GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 20VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Performance ID 8.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP9938 series are from Advanced Power innovated design andD1 D2silicon pr

 9.3. Size:203K  ape
ap9936gm-hf.pdfpdf_icon

AP9932GM

AP9936GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET DC-DC Application BVDSS 30VD2D2D1 Dual N-channel Device RDS(ON) 50mD1 Surface Mount Package ID 5AG2S2 RoHS CompliantG1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.