AP9938GEO-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9938GEO-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для AP9938GEO-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9938GEO-HF даташит

 ..1. Size:73K  ape
 ap9938geo-hf.pdf pdf_icon

AP9938GEO-HF

AP9938GEO-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET G2 S2 Low on-resistance S2 BVDSS 20V D2 Capable of 1.8V Gate Drive G1 RDS(ON) 18m S1 S1 TSSOP-8 D1 Optimal DC/DC Battery Application ID 6A Halogen Free & RoHS Compliant Product Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer

 5.1. Size:144K  ape
 ap9938geo.pdf pdf_icon

AP9938GEO-HF

AP9938GEO-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET G2 S2 Low on-resistance S2 BVDSS 20V D2 Capable of 1.8V Gate Drive G1 RDS(ON) 18m S1 S1 TSSOP-8 D1 Optimal DC/DC Battery Application ID3 6A Halogen Free & RoHS Compliant Product Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer

 6.1. Size:73K  ape
 ap9938gem-hf.pdf pdf_icon

AP9938GEO-HF

AP9938GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 20V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 18m D1 Fast Switching Performance ID 8.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP9938 series are from Advanced Power innovated design and D1 D2 silicon pr

 6.2. Size:177K  ape
 ap9938gey.pdf pdf_icon

AP9938GEO-HF

AP9938GEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20V D1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 16m G2 Surface Mount Package ID 7.5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing G1 G2 techniques to achiev

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9928GEO, AP9930AGM, AP9930GM-HF, AP9932GM, AP9934GM, AP9936GM-HF, AP9938AGEY-HF, AP9938GEM-HF, IRF4905, AP9950AGH-HF, AP9950AGP-HF, AP9950GP, AP9952GP-HF, AP9960AGM-HF, AP9960GD, AP9960GH, AP9960GJ