AP9960AGM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9960AGM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9960AGM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9960AGM-HF даташит

 ..1. Size:94K  ape
 ap9960agm-hf.pdf pdf_icon

AP9960AGM-HF

AP9960AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID 8.7A Halogen Free & RoHS Compliant Product D2 D2 D1 Description D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G2 S2 designer with the best combination o

 8.1. Size:71K  ape
 ap9960gh ap9960gj.pdf pdf_icon

AP9960AGM-HF

AP9960GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 16m Fast Switching ID 42A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D rug

 8.2. Size:69K  ape
 ap9960gm-hf.pdf pdf_icon

AP9960AGM-HF

AP9960GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance D2 BVDSS 40V D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 20m D1 Surface Mount Package ID 7.8A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 8.3. Size:97K  ape
 ap9960gh-hf ap9960gj-hf.pdf pdf_icon

AP9960AGM-HF

AP9960GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID 42A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9936GM-HF, AP9938AGEY-HF, AP9938GEM-HF, AP9938GEO-HF, AP9950AGH-HF, AP9950AGP-HF, AP9950GP, AP9952GP-HF, 4435, AP9960GD, AP9960GH, AP9960GJ, AP9960GM-HF, AP9962AGD, AP9962AGH, AP9962AGJ-HF, AP9962AGM-HF