Справочник MOSFET. AP9962AGH

 

AP9962AGH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9962AGH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9962AGH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  ape
 ap9962agh.pdf pdf_icon

AP9962AGH

AP9962AGHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD Single Drive Requirement RDS(ON) 20m Surface Mount Package ID 32AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-resistance and

 0.1. Size:97K  ape
 ap9962agh-hf ap9962agj-hf ap9962agj-hf.pdf pdf_icon

AP9962AGH

AP9962AGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Single Drive Requirement RDS(ON) 20m Surface Mount Package ID 32AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized

 6.1. Size:204K  ape
 ap9962agm-hf.pdf pdf_icon

AP9962AGH

AP9962AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD2D2D1 Single Drive Requirement RDS(ON) 25mD1 Surface Mount Package ID 7AG2S2 RoHS CompliantG1S1SO-8DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast switchin

 6.2. Size:95K  ape
 ap9962agp-hf.pdf pdf_icon

AP9962AGH

AP9962AGP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 32AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: WFU1N60N | 2SK970 | STP5NB40 | IPA083N10N5 | DH300N08F | 2SK3600-01S | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.