Справочник MOSFET. AP9962GMA

 

AP9962GMA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9962GMA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: APAK-5
 

 Аналог (замена) для AP9962GMA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9962GMA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  ape
ap9962gma.pdfpdf_icon

AP9962GMA

AP9962GMAPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET SO-8 similar area footprint and pin assignment BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 20mD Fast Switching Speed ID 36A RoHS CompliantGSDDescriptionThe APAK-5 package is preferred for all commercial-industrialSsurface mount applications and suited for low

 6.1. Size:210K  ape
ap9962gm-hf.pdfpdf_icon

AP9962GMA

AP9962GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 25mD1D1 Surface Mount Package ID 7AG2 RoHS CompliantS2G1S1SO-8DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching

 6.2. Size:205K  ape
ap9962gm.pdfpdf_icon

AP9962GMA

AP9962GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 25mD1D1 Surface Mount Package ID 7AG2S2G1S1SO-8DescriptionD2Advanced Power MOSFETs from APEC provide theD1designer with the best combination of fast switching,ruggedized device

 7.1. Size:98K  ape
ap9962gh ap9962gj.pdfpdf_icon

AP9962GMA

AP9962GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD Single Drive Requirement RDS(ON) 20m Surface Mount Package ID 32AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-resistance an

Другие MOSFET... AP9962AGD , AP9962AGH , AP9962AGJ-HF , AP9962AGM-HF , AP9962AGP-HF , AP9962BGH-HF , AP9962GH , AP9962GJ , IRFP450 , AP9962GM-HF , AP9963AGP-HF , AP9963AGS-HF , AP9963GI-HF , AP9963GP-HF , AP9963GS-HF , AP9964GM , AP9965GEH .

History: GSM2318A | 2SK3512S

 

 
Back to Top

 


 
.