AP9962GMA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9962GMA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: APAK-5

Аналог (замена) для AP9962GMA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9962GMA даташит

 ..1. Size:89K  ape
 ap9962gma.pdf pdf_icon

AP9962GMA

AP9962GMA Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET SO-8 similar area footprint and pin assignment BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 20m D Fast Switching Speed ID 36A RoHS Compliant G S D Description The APAK-5 package is preferred for all commercial-industrial S surface mount applications and suited for low

 6.1. Size:210K  ape
 ap9962gm-hf.pdf pdf_icon

AP9962GMA

AP9962GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D2 D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 25m D1 D1 Surface Mount Package ID 7A G2 RoHS Compliant S2 G1 S1 SO-8 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching

 6.2. Size:205K  ape
 ap9962gm.pdf pdf_icon

AP9962GMA

AP9962GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D2 D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 25m D1 D1 Surface Mount Package ID 7A G2 S2 G1 S1 SO-8 Description D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

 7.1. Size:98K  ape
 ap9962gh ap9962gj.pdf pdf_icon

AP9962GMA

AP9962GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D Single Drive Requirement RDS(ON) 20m Surface Mount Package ID 32A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D ruggedized device design, low on-resistance an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9962AGD, AP9962AGH, AP9962AGJ-HF, AP9962AGM-HF, AP9962AGP-HF, AP9962BGH-HF, AP9962GH, AP9962GJ, NCEP15T14, AP9962GM-HF, AP9963AGP-HF, AP9963AGS-HF, AP9963GI-HF, AP9963GP-HF, AP9963GS-HF, AP9964GM, AP9965GEH