AP9971AGH. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9971AGH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для AP9971AGH
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9971AGH даташит
ap9971agh ap9971agj.pdf
AP9971AGH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID 22A G S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, ruggedized device desig
ap9971agh-hf ap9971agj-hf.pdf
AP9971AGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID 22A G Halogen Free & RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D S best combination of fast switchin
ap9971agp ap9971ags.pdf
AP9971AGS/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID 22A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G TO-220(P) D ruggedized device design
ap9971agd.pdf
AP9971AGD RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D2 Low On-resistance BVDSS 60V D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 50m D1 PDIP-8 Package ID 5A G2 S2 PDIP-8 G1 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
Другие IGBT... AP9966GM-HF, AP9967GH-HF, AP9970AGP-HF, AP9970GI-HF, AP9970GK-HF, AP9970GP-HF, AP9970GW-HF, AP9971AGD, STF13NM60N, AP9971AGJ, AP9971AGM-HF, AP9971AGP, AP9971AGS, AP9971GD, AP9971GH, AP9971GI-HF, AP9971GJ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383







