AP9971AGM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9971AGM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9971AGM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9971AGM-HF даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap9971agm-hf.pdf pdf_icon

AP9971AGM-HF

AP9971AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60V D2 D2 D1 Single Drive Requirement RDS(ON) 50m D1 Surface Mount Package ID 5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D2 D1 the best combinat

 5.1. Size:166K  ape
 ap9971agm.pdf pdf_icon

AP9971AGM-HF

AP9971AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m D1 Surface Mount Package ID 5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP9971A series are from A

 6.1. Size:197K  ape
 ap9971agp ap9971ags.pdf pdf_icon

AP9971AGM-HF

AP9971AGS/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID 22A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G TO-220(P) D ruggedized device design

 6.2. Size:168K  ape
 ap9971agd.pdf pdf_icon

AP9971AGM-HF

AP9971AGD RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D2 Low On-resistance BVDSS 60V D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 50m D1 PDIP-8 Package ID 5A G2 S2 PDIP-8 G1 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9970AGP-HF, AP9970GI-HF, AP9970GK-HF, AP9970GP-HF, AP9970GW-HF, AP9971AGD, AP9971AGH, AP9971AGJ, 2N60, AP9971AGP, AP9971AGS, AP9971GD, AP9971GH, AP9971GI-HF, AP9971GJ, AP9971GM-HF, AP9971GP-HF