Справочник MOSFET. AP9972AGP-HF

 

AP9972AGP-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9972AGP-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9972AGP-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
 ap9972agp-hf.pdf pdf_icon

AP9972AGP-HF

AP9972AGP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Single Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized devi

 5.1. Size:154K  ape
 ap9972agp.pdf pdf_icon

AP9972AGP-HF

AP9972AGP-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9972A series are from Advanced Power innovated desi

 6.1. Size:95K  ape
 ap9972agr-hf.pdf pdf_icon

AP9972AGP-HF

AP9972AGR-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized devic

 6.2. Size:95K  ape
 ap9972agi.pdf pdf_icon

AP9972AGP-HF

AP9972AGIRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Single Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 32AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design,Glow on-resistance and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IPP200N25N3G | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | INK0003AC1 | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.