Справочник MOSFET. AP9972GP-HF

 

AP9972GP-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9972GP-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AP9972GP-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9972GP-HF Datasheet (PDF)

 6.1. Size:153K  ape
 ap9972gp.pdf pdf_icon

AP9972GP-HF

AP9972GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60AGSDescriptionAP9972 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve th

 7.1. Size:165K  ape
 ap9972gs.pdf pdf_icon

AP9972GP-HF

AP9972GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60AGSDescriptionAP9972 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve th

 7.2. Size:99K  ape
 ap9972gs p-hf.pdf pdf_icon

AP9972GP-HF

AP9972GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DSTO-263(S)ruggedized device design,

 7.3. Size:94K  ape
 ap9972gh-hf.pdf pdf_icon

AP9972GP-HF

AP9972GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower Gate Charge RDS(ON) 18m Fast Switching Characteristic ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDrugge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9971GM-HF , AP9971GP-HF , AP9971GS-HF , AP9972AGI , AP9972AGP-HF , AP9972AGR-HF , AP9972GH-HF , AP9972GI-HF , EMB04N03H , AP9972GR , AP9972GS-HF , AP9973GD , AP9973GH-HF , AP9973GI , AP9973GJ-HF , AP9973GM , AP9973GP .

History: P0765JD | OSG60R108FZF | BSD235C | 2N5398 | WFW13N50 | PHB96NQ03LT

 

 
Back to Top

 


 
.