Справочник MOSFET. AP9973GI

 

AP9973GI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9973GI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-220CFM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9973GI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  ape
ap9973gi.pdfpdf_icon

AP9973GI

AP9973GIRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 60VD Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Full Isolation Package ID 14AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design,low on-resistance

 7.1. Size:60K  ape
ap9973gd.pdfpdf_icon

AP9973GI

AP9973GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS 60VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 80mD1 PDIP-8 Package ID 3.9A RoHS CompliantG2S2PDIP-8G1S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ru

 7.2. Size:62K  ape
ap9973gp ap9973gs.pdfpdf_icon

AP9973GI

AP9973GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching, DSTO-263(S)ruggedized device design, low o

 7.3. Size:98K  ape
ap9973gh-hf ap9973gj-hf.pdfpdf_icon

AP9973GI

AP9973GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-252(H)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.