AP9974AGS-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9974AGS-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для AP9974AGS-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9974AGS-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap9974ags-hf.pdf pdf_icon

AP9974AGS-HF

AP9974AGS-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 68A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S

 6.1. Size:186K  ape
 ap9974agh.pdf pdf_icon

AP9974AGS-HF

AP9974AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Surface Mount Package ID 68A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9974A series are from Advanced Power innovated design and

 6.2. Size:94K  ape
 ap9974agh-hf.pdf pdf_icon

AP9974AGS-HF

AP9974AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 12m Surface Mount Package ID 68A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

 6.3. Size:96K  ape
 ap9974agp-hf.pdf pdf_icon

AP9974AGS-HF

AP9974AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 68A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9973GH-HF, AP9973GI, AP9973GJ-HF, AP9973GM, AP9973GP, AP9973GS, AP9974AGH-HF, AP9974AGP-HF, IRF3205, AP9974BGP, AP9974GH-HF, AP9974GJ-HF, AP9974GP-HF, AP9974GS-HF, AP9975GM-HF, AP9976GM, AP9976GP