AP9974GP-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9974GP-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для AP9974GP-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9974GP-HF даташит

 6.1. Size:152K  ape
 ap9974gp.pdf pdf_icon

AP9974GP-HF

AP9974GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 72A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9974 series are from Advanced Power innovated de

 6.2. Size:76K  ape
 ap9974gs ap9974gp.pdf pdf_icon

AP9974GP-HF

AP9974GS/P Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 72A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-263(S) ruggedized device desi

 7.1. Size:100K  ape
 ap9974gh-hf ap9974gj-hf.pdf pdf_icon

AP9974GP-HF

AP9974GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 10.5m Fast Switching Performance ID 74A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast swi

 7.2. Size:98K  ape
 ap9974gs p-hf.pdf pdf_icon

AP9974GP-HF

AP9974GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 72A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9973GP, AP9973GS, AP9974AGH-HF, AP9974AGP-HF, AP9974AGS-HF, AP9974BGP, AP9974GH-HF, AP9974GJ-HF, IRF540N, AP9974GS-HF, AP9975GM-HF, AP9976GM, AP9976GP, AP9977AGH, AP9977AGM, AP9977GH-HF, AP9977GJ-HF