FRL430D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRL430D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для FRL430D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRL430D даташит

 8.1. Size:53K  intersil
 frl430.pdf pdf_icon

FRL430D

FRL430D, FRL430R, FRL430H 2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 2A, 500V, RDS(on) = 2.50 TO-205AF Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRL130R, FRL230D, FRL230H, FRL230R, FRL230R4, FRL234D, FRL234H, FRL234R, EMB04N03H, FRL430H, FRL430R, FRL9130D, FRL9130H, FRL9130R, FRL9230D, FRL9230H, FRL9230R