AP9977AGH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9977AGH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AP9977AGH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9977AGH даташит

 ..1. Size:62K  ape
 ap9977agh.pdf pdf_icon

AP9977AGH

AP9977AGH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID 9A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G D S TO-252(H) the best combination of fast switching, ruggedized device design, lo

 0.1. Size:106K  ape
 ap9977agh-hf.pdf pdf_icon

AP9977AGH

AP9977AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID 9A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D S TO-2

 6.1. Size:180K  ape
 ap9977agm.pdf pdf_icon

AP9977AGH

AP9977AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS 60V D2 D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 100m D1 D1 Surface Mount Package ID 3.6A G2 S2 G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D2 D1 the best combination of fast switching, rug

 8.1. Size:207K  ape
 ap9977gjv.pdf pdf_icon

AP9977AGH

AP9977GJV Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Performance ID 11A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9977 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9974BGP, AP9974GH-HF, AP9974GJ-HF, AP9974GP-HF, AP9974GS-HF, AP9975GM-HF, AP9976GM, AP9976GP, IRF640, AP9977AGM, AP9977GH-HF, AP9977GJ-HF, AP9977GM, AP9978AGP-HF, AP9978GP, AP9979GH-HF, AP9979GJ