AP9979GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9979GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9979GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9979GJ даташит

 ..1. Size:235K  ape
ap9979gj.pdfpdf_icon

AP9979GJ

AP9979GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 48m Surface Mount Package ID 20A G S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D S TO-252(H) the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

 7.1. Size:232K  ape
ap9979gh.pdfpdf_icon

AP9979GJ

AP9979GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 48m Fast Switching Characteristic ID 20A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9979 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possi

 7.2. Size:95K  ape
ap9979gh-hf.pdfpdf_icon

AP9979GJ

AP9979GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 48m Fast Switching Characteristic ID 20A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized dev

 9.1. Size:100K  ape
ap9974gh-hf ap9974gj-hf.pdfpdf_icon

AP9979GJ

AP9974GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 10.5m Fast Switching Performance ID 74A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast swi

Другие IGBT... AP9977AGH, AP9977AGM, AP9977GH-HF, AP9977GJ-HF, AP9977GM, AP9978AGP-HF, AP9978GP, AP9979GH-HF, IRF3710, AP9980GH, AP9980GJ, AP9980GM, AP9985GM, AP9987GH-HF, AP9987GJ-HF, AP9987GM, AP9990GH-HF