AP9987GJ-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9987GJ-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9987GJ-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9987GJ-HF даташит

 ..1. Size:97K  ape
 ap9987gh-hf ap9987gj-hf.pdf pdf_icon

AP9987GJ-HF

AP9987GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Performance ID 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9987 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D S process technology to achieve the lowe

 6.1. Size:198K  ape
 ap9987gj.pdf pdf_icon

AP9987GJ-HF

AP9987GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Performance ID 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9987 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D S process technology to achieve the lowe

 6.2. Size:208K  ape
 ap9987gjv.pdf pdf_icon

AP9987GJ-HF

AP9987GJV Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Performance ID 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9987 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible o

 6.3. Size:831K  cn vbsemi
 ap9987gj.pdf pdf_icon

AP9987GJ-HF

AP9987GJ www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.115 at VGS = 10 V 15 100 % Rg Tested 100 0.120 at VGS = 6 V 15 APPLICATIONS Primary Side Switch TO-251 D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9978GP, AP9979GH-HF, AP9979GJ, AP9980GH, AP9980GJ, AP9980GM, AP9985GM, AP9987GH-HF, 8205A, AP9987GM, AP9990GH-HF, AP9990GIF-HF, AP9990GMT-HF, AP9990GP-HF, AP9990GR-HF, AP9992AGI-HF, AP9992AGP-HF