Справочник MOSFET. AP9997GJ-HF

 

AP9997GJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9997GJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9997GJ-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  ape
 ap9997gh-hf ap9997gj-hf.pdf pdf_icon

AP9997GJ-HF

AP9997GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 120m Fast Switching Characteristic ID 11AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theS TO-252(H)designer with the best combination of fast

 7.1. Size:182K  ape
 ap9997gm.pdf pdf_icon

AP9997GJ-HF

AP9997GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS 95VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 110mD1D1 Surface Mount Package ID 3AG2S2G1S1SO-8DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast switching,rugge

 7.2. Size:94K  ape
 ap9997gk-hf.pdf pdf_icon

AP9997GJ-HF

AP9997GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Lower Gate Charge RDS(ON) 120mS Fast Switching Characteristic ID 3.2AD Halogen Free & RoHS Compliant ProductSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 7.3. Size:94K  ape
 ap9997gk.pdf pdf_icon

AP9997GJ-HF

AP9997GKRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Lower Gate Charge RDS(ON) 120m Fast Switching Characteristic ID 3.2ASDSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resistance and co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9992GP-HF , AP9992GR-HF , AP9995GH-HF , AP9995GJ-HF , AP9997AGH-HF , AP9997BGH-HF , AP9997BGJ-HF , AP9997GH-HF , AON7506 , AP9997GK , AP9997GM , AP9997GP-HF , AP9998GH-HF , AP9998GS-HF , AP99T03GP-HF , AP99T03GS-HF , AP99T06AGI-HF .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.