Справочник MOSFET. AP9T15GJ

 

AP9T15GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9T15GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9T15GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  ape
ap9t15gh ap9t15gj.pdfpdf_icon

AP9T15GJ

AP9T15GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Single Drive Requirement ID 12.5AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDS TO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggedi

 0.1. Size:98K  ape
ap9t15gh-hf ap9t15gj-hf.pdfpdf_icon

AP9T15GJ

AP9T15GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Single Drive Requirement ID 12.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDS TO-252(H)designer with the best combination of fast swi

 9.1. Size:98K  ape
ap9t18gh-hf.pdfpdf_icon

AP9T15GJ

AP9T18GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 38AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9T18 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest po

 9.2. Size:126K  ape
ap9t18geh ap9t18gej.pdfpdf_icon

AP9T15GJ

AP9T18GEH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD G-S Diode embedded BVDSS 20VG Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Surface mount package ID 40A RoHS Compliant SDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)rugg

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMS0309AS | NTMD6N03R2

 

 
Back to Top

 


 
.