AP9T15GJ - описание и поиск аналогов

 

AP9T15GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9T15GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9T15GJ

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9T15GJ даташит

 ..1. Size:98K  ape
ap9t15gh ap9t15gj.pdfpdf_icon

AP9T15GJ

AP9T15GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Single Drive Requirement ID 12.5A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedi

 0.1. Size:98K  ape
ap9t15gh-hf ap9t15gj-hf.pdfpdf_icon

AP9T15GJ

AP9T15GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Single Drive Requirement ID 12.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast swi

 9.1. Size:98K  ape
ap9t18gh-hf.pdfpdf_icon

AP9T15GJ

AP9T18GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 38A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9T18 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

 9.2. Size:126K  ape
ap9t18geh ap9t18gej.pdfpdf_icon

AP9T15GJ

AP9T18GEH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D G-S Diode embedded BVDSS 20V G Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Surface mount package ID 40A RoHS Compliant S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) rugg

Другие MOSFET... AP9998GH-HF , AP9998GS-HF , AP99T03GP-HF , AP99T03GS-HF , AP99T06AGI-HF , AP99T06AGP-HF , AP99T06GP-HF , AP9T15GH , IRFP450 , AP9T16AGH-HF , AP9T16GH , AP9T16GJ , AP9T18GEH , AP9T18GEJ , AP9T18GH , AP9T18GJ , AP9T19GJ .

History: FDI045N10AF102 | AP99T06GP-HF | AP9T18GEJ | AP9T18GEH | 2SK3451-01MR

 

 

 


 
↑ Back to Top
.