AP9T18GEJ - описание и поиск аналогов

 

AP9T18GEJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9T18GEJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9T18GEJ

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9T18GEJ даташит

 ..1. Size:126K  ape
 ap9t18geh ap9t18gej.pdf pdf_icon

AP9T18GEJ

AP9T18GEH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D G-S Diode embedded BVDSS 20V G Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Surface mount package ID 40A RoHS Compliant S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) rugg

 7.1. Size:98K  ape
 ap9t18gh-hf.pdf pdf_icon

AP9T18GEJ

AP9T18GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 38A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9T18 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

 7.2. Size:212K  ape
 ap9t18gh ap9t18gj.pdf pdf_icon

AP9T18GEJ

AP9T18GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Surface mount package ID 38A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, S TO-252(H) ruggedized device design, ultra

 9.1. Size:60K  ape
 ap9t16agh-hf.pdf pdf_icon

AP9T18GEJ

AP9T16AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 19.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D S TO-252(H) best combination of fas

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP99T06AGP-HF , AP99T06GP-HF , AP9T15GH , AP9T15GJ , AP9T16AGH-HF , AP9T16GH , AP9T16GJ , AP9T18GEH , IRFP250 , AP9T18GH , AP9T18GJ , AP9T19GJ , APA2N70K-HF , APS04N60H-HF , IRF830I-HF , IRF840I , 2SK3467 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.