FRL9230D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRL9230D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для FRL9230D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRL9230D даташит

 7.1. Size:47K  intersil
 frl9230.pdf pdf_icon

FRL9230D

FRL9230D, FRL9230R, FRL9230H 3A, -200V, 1.30 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 3A, -200V, RDS(on) = 1.30 TO-205AF Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRL234H, FRL234R, FRL430D, FRL430H, FRL430R, FRL9130D, FRL9130H, FRL9130R, IRFP064N, FRL9230H, FRL9230R, FRM130D, FRM130H, FRM130R, FRM140D, FRM140H, FRM140R