2SK3850 - описание и поиск аналогов

 

2SK3850. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3850

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TP

Аналог (замена) для 2SK3850

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3850 даташит

 ..1. Size:36K  sanyo
2sk3850.pdfpdf_icon

2SK3850

Ordering number ENN8193 2SK3850 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SK3850 Applications Features Best suited for motor drive. Low ON-resistance. Low Qg. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V Gate-to-Source Voltage VGSS 30 V Drain Current (DC) ID 0.7 A D

 0.1. Size:354K  inchange semiconductor
2sk3850i.pdfpdf_icon

2SK3850

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3850I FEATURES Drain Current I = 0.7A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 18.5m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

 0.2. Size:286K  inchange semiconductor
2sk3850d.pdfpdf_icon

2SK3850

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3850D FEATURES Drain Current I = 0.7A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 18.5m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

 8.1. Size:129K  toshiba
2sk3857tk.pdfpdf_icon

2SK3850

2SK3857TK TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK3857TK For ECM Unit mm Application for Ultra-compact ECM 1.2 0.05 0.8 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 1 3 Characteristic Symbol Rating Unit 2 Gate-Drain voltage VGDO -20 V Gate Current IG 10 mA Drain power dissipation (Ta = 25 C) PD 100 mW Junction Temperature Tj 125 C Storag

Другие MOSFET... 2SK1065 , 2SK1358 , 2SK2025-01 , 2SK2043LS , 2SK3053 , 2SK3102-01R , 2SK3114 , 2SK2219 , IRLB3034 , 2SK2857 , 2SJ306 , 2SJ72 , 2SJ670 , 2SJ164 , 2SJ598 , 2SJ598-Z , 2SJ557 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.