FRL9230R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FRL9230R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO205AF
Аналог (замена) для FRL9230R
FRL9230R Datasheet (PDF)
frl9230.pdf

FRL9230D, FRL9230R,FRL9230H3A, -200V, 1.30 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 3A, -200V, RDS(on) = 1.30TO-205AF Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
Другие MOSFET... FRL430D , FRL430H , FRL430R , FRL9130D , FRL9130H , FRL9130R , FRL9230D , FRL9230H , IRFP064N , FRM130D , FRM130H , FRM130R , FRM140D , FRM140H , FRM140R , FRM230D , FRM230H .
History: HFW5N65U | SI7790DP | HUF75332S3ST | NP88N04MHE | HGB009NE6A | 3SK225
History: HFW5N65U | SI7790DP | HUF75332S3ST | NP88N04MHE | HGB009NE6A | 3SK225



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики