2N6917 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6917  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 4900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N6917

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6917 даташит

No data!

Другие IGBT... 2N6912, 2N6913, 2N6913A, 2N6914, 2N6914A, 2N6914B, 2N6915, 2N6916, K2611, 2N6960, 2N6961, 2N6961A, 2N6962, 2N6963, 2N6964, 2N6965, 2N6966