2SK3430
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK3430
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(off)|ⓘ -
Минимальное напряжение отсечки: 1.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 80
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 50
nC
trⓘ -
Время нарастания: 1800
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 730
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059
Ohm
Тип корпуса:
TO-220AB
Аналог (замена) для 2SK3430
2SK3430
Datasheet (PDF)
..1. Size:48K nec
2sk3430.pdf 
PRELIMINARY DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3430SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3430 is N-channel MOS Field Effect TransistorPART NUMBER PACKAGEdesigned for high current switching applications.2SK3430 TO-220AB2SK3430-S TO-262FEATURES2SK3430-Z TO-220SMD Super low on-state resistance:RDS(on)1 = 7.3 m
..2. Size:288K inchange semiconductor
2sk3430.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430FEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi
0.1. Size:995K kexin
2sk3430-zj.pdf 
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK3430-ZJ Features VDS S = 40V ID = 80 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.3m (VGS = 10V) RDS(ON) 15m (VGS = 4V) Low Ciss: Ciss = 2800 pF TYP.DrainBodyGate DiodeGateProtectionSourceDiode Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 40V Gate-Source Voltage
0.2. Size:222K inchange semiconductor
2sk3430-z.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430-ZFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
0.3. Size:282K inchange semiconductor
2sk3430-s.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430-SFEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.
