2SK3430. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3430

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1800 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для 2SK3430

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3430 даташит

 ..1. Size:48K  nec
 2sk3430.pdf pdf_icon

2SK3430

PRELIMINARY DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3430 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3430 is N-channel MOS Field Effect Transistor PART NUMBER PACKAGE designed for high current switching applications. 2SK3430 TO-220AB 2SK3430-S TO-262 FEATURES 2SK3430-Z TO-220SMD Super low on-state resistance RDS(on)1 = 7.3 m

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 2sk3430.pdf pdf_icon

2SK3430

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.5m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

 0.1. Size:995K  kexin
 2sk3430-zj.pdf pdf_icon

2SK3430

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK3430-ZJ Features VDS S = 40V ID = 80 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.3m (VGS = 10V) RDS(ON) 15m (VGS = 4V) Low Ciss Ciss = 2800 pF TYP. Drain Body Gate Diode Gate Protection Source Diode Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage

 0.2. Size:222K  inchange semiconductor
 2sk3430-z.pdf pdf_icon

2SK3430

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430-Z FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3876-01R, 2SK3025, 2SK1217-01R, 2SK1375, 2SK1904, 2SK2352, 2SK2655-01R, 2SK2872-01MR, IRF840, 2SK3430-S, 2SK3430-Z, 2SK3523-01R, 2SK3525-01MR, 2SK3637, 2SK4096LS, BUZ334, 3N161