Справочник MOSFET. 2SK3430-S

 

2SK3430-S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK3430-S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1800 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для 2SK3430-S

 

 

2SK3430-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  inchange semiconductor
 2sk3430-s.pdf

2SK3430-S 2SK3430-S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430-SFEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

 6.1. Size:995K  kexin
 2sk3430-zj.pdf

2SK3430-S 2SK3430-S

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK3430-ZJ Features VDS S = 40V ID = 80 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.3m (VGS = 10V) RDS(ON) 15m (VGS = 4V) Low Ciss: Ciss = 2800 pF TYP.DrainBodyGate DiodeGateProtectionSourceDiode Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 40V Gate-Source Voltage

 6.2. Size:222K  inchange semiconductor
 2sk3430-z.pdf

2SK3430-S 2SK3430-S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430-ZFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 7.1. Size:48K  nec
 2sk3430.pdf

2SK3430-S 2SK3430-S

PRELIMINARY DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3430SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3430 is N-channel MOS Field Effect TransistorPART NUMBER PACKAGEdesigned for high current switching applications.2SK3430 TO-220AB2SK3430-S TO-262FEATURES2SK3430-Z TO-220SMD Super low on-state resistance:RDS(on)1 = 7.3 m

 7.2. Size:288K  inchange semiconductor
 2sk3430.pdf

2SK3430-S 2SK3430-S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430FEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TMPF4N60AZ

 

 
Back to Top