FRM130H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FRM130H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 218 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO204AA
Аналог (замена) для FRM130H
FRM130H Datasheet (PDF)
frm130.pdf

FRM130D, FRM130R,FRM130H14A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard,N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features PackageTO-204AA 14A, 100V, RDS(on) = 0.180 Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
Другие MOSFET... FRL430R , FRL9130D , FRL9130H , FRL9130R , FRL9230D , FRL9230H , FRL9230R , FRM130D , IRF3205 , FRM130R , FRM140D , FRM140H , FRM140R , FRM230D , FRM230H , FRM230R , FRM234D .
History: UF640L-TN3-R | AP9965GEM | IXTQ26P20P | WFW9N90W | HY4306B | 3SK249 | HY4306B6
History: UF640L-TN3-R | AP9965GEM | IXTQ26P20P | WFW9N90W | HY4306B | 3SK249 | HY4306B6



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor