FRM130H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRM130H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 218 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO204AA

Аналог (замена) для FRM130H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM130H даташит

 8.1. Size:47K  intersil
 frm130.pdf pdf_icon

FRM130H

FRM130D, FRM130R, FRM130H 14A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Package TO-204AA 14A, 100V, RDS(on) = 0.180 Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRL430R, FRL9130D, FRL9130H, FRL9130R, FRL9230D, FRL9230H, FRL9230R, FRM130D, IRF3205, FRM130R, FRM140D, FRM140H, FRM140R, FRM230D, FRM230H, FRM230R, FRM234D