3N161. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N161

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-72

Аналог (замена) для 3N161

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N161 даташит

 ..1. Size:43K  intersil
 3n161.pdf pdf_icon

3N161

Другие IGBT... 2SK3430, 2SK3430-S, 2SK3430-Z, 2SK3523-01R, 2SK3525-01MR, 2SK3637, 2SK4096LS, BUZ334, IRF1404, 3N165, 3N166, 3SK199, 3SK207, 3SK225, 3SK226, 3SK232, 3SK249