3N161 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: 3N161
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-72
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам