Справочник MOSFET. 3N166

 

3N166 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 3N166
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 125 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm
   Тип корпуса: TO-99

 Аналог (замена) для 3N166

 

 

3N166 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:19K  linear-systems
 3n165 3n166.pdf

3N166 3N166

3N165, 3N166MONOLITHIC DUAL P-CHANNELENHANCEMENT MODE MOSFETLinear Integrated SystemsFEATURESVERY HIGH INPUT IMPEDANCEHIGH GATE BREAKDOWNULTRA LOW LEAKAGELOW CAPACITANCEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)(TA= 25C unless otherwise noted)1 7CDrain-Source or Drain-Gate Voltage (NOTE 2)G1 G23N165 40 V3 53N166 30 VD1 D2STransient G-S Voltage (NOTE 3) 125 V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top