FRM140D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FRM140D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: TO204AA
Аналог (замена) для FRM140D
FRM140D Datasheet (PDF)
frm140.pdf

FRM140D, FRM140R,FRM140H23A, 100V, 0.130 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 23A, 100V, RDS(on) = 0.130TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
Другие MOSFET... FRL9130H , FRL9130R , FRL9230D , FRL9230H , FRL9230R , FRM130D , FRM130H , FRM130R , 20N60 , FRM140H , FRM140R , FRM230D , FRM230H , FRM230R , FRM234D , FRM234H , FRM234R .
History: FXN0503D | NCE65N230 | CS50N06D
History: FXN0503D | NCE65N230 | CS50N06D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134