FRM140H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRM140H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO204AA

Аналог (замена) для FRM140H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM140H даташит

 8.1. Size:47K  intersil
 frm140.pdf pdf_icon

FRM140H

FRM140D, FRM140R, FRM140H 23A, 100V, 0.130 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 23A, 100V, RDS(on) = 0.130 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRL9130R, FRL9230D, FRL9230H, FRL9230R, FRM130D, FRM130H, FRM130R, FRM140D, 20N60, FRM140R, FRM230D, FRM230H, FRM230R, FRM234D, FRM234H, FRM234R, FRM240D