2N3956 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2N3956
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Тип корпуса: TO-71
Аналог (замена) для 2N3956
2N3956 технические параметры
2n3954 2n3955 2n3956.pdf
Databook.fxp 1/14/99 11 29 AM Page B-5 01/99 B-5 2N3954, 2N3955, 2N3956 N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low and Medium Frequency Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Differential Amplifiers Gate Current 50 mA High Input Impedance Total Device Power Dissipation (each side) 250 mW @ 85 C Case Tem
2n3958.pdf
2N3958 Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Dual PRODUCT SUMMARY VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 1.0 to 4.5 50 1 50 25 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Monolithic Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential Amps D High Slew Rate D Improved Op Amp Speed, Settling Time D High-Speed, Accuracy Temp-
2n3957 2n3958.pdf
Databook.fxp 1/14/99 11 30 AM Page B-6 B-6 01/99 2N3957, 2N3958 N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low and Medium Frequency Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Differential Amplifiers Gate Current 50 mA High Input Impedance Total Device Power Dissipation (each side) 250 mW @ 85 C Case Temperature
Другие MOSFET... 2N3820 , 2N3821 , 2N3822 , 2N3823 , 2N3921 , 2N3922 , 2N3954 , 2N3955 , IRF1010E , 2N5018 , 2N5019 , 2N3957 , 2N3958 , 2N3993 , 2N3993A , 2N3994 , 2N3994A .
