2N4220 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N4220
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
Тип корпуса: TO-72
2N4220 Datasheet (PDF)
2n4220-a 2n4221-a 2n4222-a.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-10B-10 01/992N4220, 2N4220A, 2N4221, 2N4221A, 2N4222, 2N4222AN-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C MixersReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 30 V OscillatorsContinuous Forward Gate Current 10 mA VHF AmplifiersContinuous Device Power Dissipation 300 mWPower Derating
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918