2N4869 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N4869
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0075 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Тип корпуса: TO-72
Аналог (замена) для 2N4869
2N4869 Datasheet (PDF)
2n4867-a 2n4868-a 2n4869-a.pdf

Databook.fxp 1/14/99 12:00 PM Page B-1701/99 B-172N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869AN-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio AmplifiersReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 40 VGate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 300mWPower Derating 1.7 mW/CStorage Temperature Range 6
2n4856a 2n4857a 2n4858a 2n4859a 2n4860a 2n4861a.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n4863.pdf

TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
Другие MOSFET... 2N4859 , 2N4860 , 2N4861 , 2N4859A , 2N4860A , 2N4861A , 2N4867 , 2N4868 , IRF740 , 2N4867A , 2N4868A , 2N4869A , 2N5020 , 2N5021 , 2N5114 , 2N5115 , 2N5116 .
History: SM6130NSUB | HGP115N15S | SI4448DY | 2SK3539G0L | HY1203S | BRCS020N06SRA | AP20N15AGH
History: SM6130NSUB | HGP115N15S | SI4448DY | 2SK3539G0L | HY1203S | BRCS020N06SRA | AP20N15AGH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370