2N5199. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5199

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 4 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.007 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-71

Аналог (замена) для 2N5199

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5199 даташит

 ..1. Size:65K  vishay
2n5196 2n5197 2n5198 2n5199.pdfpdf_icon

2N5199

2N5196/5197/5198/5199 Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Duals PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5196 0.7 to 4 50 1 15 5 2N5197 0.7 to 4 50 1 15 5 2N5198 0.7 to 4 50 1 15 10 2N5199 0.7 to 4 50 1 15 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Monolithic Design D T

 9.1. Size:217K  motorola
2n5191 2n5192.pdfpdf_icon

2N5199

 9.2. Size:212K  motorola
2n5194 2n5195.pdfpdf_icon

2N5199

Order this document MOTOROLA by 2N5194/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N5194 2N5195* Silicon PNP Power Transistors *Motorola Preferred Device . . . for use in power amplifier and switching circuits, excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192 4 AMPERE POWER TRANSISTORS

 9.3. Size:230K  st
2n5191 2n5192.pdfpdf_icon

2N5199

2N5191 2N5192 NPN power transistors Features NPN transistors Applications Linear and switching industrial equipment Description 1 2 The devices are manufactured in Planar 3 technology with Base Island layout. The SOT-32 resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP type of 2N5192 is 2N5195. Figure

Другие IGBT... 2N5020, 2N5021, 2N5114, 2N5115, 2N5116, 2N5196, 2N5197, 2N5198, IRF640N, 2N5245, 2N5246, 2N5397, 2N5398, 2N5432, 2N5433, 2N5434, 2N5452