2N5452. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5452

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 4.5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.005 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-71

Аналог (замена) для 2N5452

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5452 даташит

 ..1. Size:65K  intersil
 2n5452 2n5453 2n5454.pdf pdf_icon

2N5452

 9.1. Size:110K  motorola
 2n5457re.pdf pdf_icon

2N5452

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5457/D JFETs General Purpose 2N5457 N Channel Depletion 1 DRAIN *Motorola Preferred Device 3 GATE 2 SOURCE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 3 Drain Source Voltage VDS 25 Vdc Drain Gate Voltage VDG 25 Vdc CASE 29 04, STYLE 5 Reverse Gate Source Voltage VGSR 25 Vdc TO 92 (TO 226AA)

 9.2. Size:129K  fairchild semi
 2n5457 2n5458 2n5459 mmbf5457 mmbf5458 mmbf5459.pdf pdf_icon

2N5452

2N5457 MMBF5457 2N5458 MMBF5458 2N5459 MMBF5459 G S TO-92 G S SOT-23 NOTE Source & Drain D D are interchangeable Mark 6D / 61S / 6L N-Channel General Purpose Amplifier This device is a low level audio amplifier and switching transistors, and can be used for analog switching applications. Sourced from Process 55. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted S

 9.3. Size:59K  central
 2n5457 2n5458 2n5459.pdf pdf_icon

2N5452

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N5199, 2N5245, 2N5246, 2N5397, 2N5398, 2N5432, 2N5433, 2N5434, 2N7000, 2N5453, 2N5454, 2N5457, 2N5458, 2N5459, 2N5460, 2N5461, 2N5462