2N5457. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N5457
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 2.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.005 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для 2N5457
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2N5457 даташит
2n5457 2n5458 2n5459 mmbf5457 mmbf5458 mmbf5459.pdf
2N5457 MMBF5457 2N5458 MMBF5458 2N5459 MMBF5459 G S TO-92 G S SOT-23 NOTE Source & Drain D D are interchangeable Mark 6D / 61S / 6L N-Channel General Purpose Amplifier This device is a low level audio amplifier and switching transistors, and can be used for analog switching applications. Sourced from Process 55. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted S
2n5457 2n5458 2n5459.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n5457re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5457/D JFETs General Purpose 2N5457 N Channel Depletion 1 DRAIN *Motorola Preferred Device 3 GATE 2 SOURCE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 3 Drain Source Voltage VDS 25 Vdc Drain Gate Voltage VDG 25 Vdc CASE 29 04, STYLE 5 Reverse Gate Source Voltage VGSR 25 Vdc TO 92 (TO 226AA)
Другие MOSFET... 2N5397 , 2N5398 , 2N5432 , 2N5433 , 2N5434 , 2N5452 , 2N5453 , 2N5454 , 7N65 , 2N5458 , 2N5459 , 2N5460 , 2N5461 , 2N5462 , 2N5515 , 2N5516 , 2N5517 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor






