2N5519 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N5519
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3.8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0075 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: TO-71
Аналог (замена) для 2N5519
2N5519 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2N5459 , 2N5460 , 2N5461 , 2N5462 , 2N5515 , 2N5516 , 2N5517 , 2N5518 , 5N60 , 2N5520 , 2N5521 , 2N5522 , 2N5523 , 2N5524 , 2N5545 , 2N5546 , 2N5547 .
History: IRF623 | K3569-FP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTP330N06D | JMTP3010D | JMTP3008A | JMTP260N03D | JMTP250P03A | JMTP240N03D | JMTP240C03D | JMTP230C04D | JMTP170N06D | JMTP170N06A | JMTP170C04D | JMTP160P03D | JMTP130P04A | JMTP130N04A | JMTP120C03D | JMTL3134KT7
Popular searches
2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet